Optical anisotropy of Er centers in GaAs:Er,O

被引：3

作者：

Hogg, RA ^{[1
]}

Takahei, K ^{[1
]}

Taguchi, A ^{[1
]}

Horikoshi, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP, BASIC RES LABS, ATSUGI, KANAGAWA 24301, JAPAN

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-167

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：167 / 172

页数：6