Reply to 'Comments on the article "Transport properties of Sn-doped InSb thin films and application to Hall element [J. Crys Growth 251(2003)560]" by M. Oszwaldowski [J. Crys Growth 260(2004)600]'

被引：1

作者：

Okamoto, A ^{[1
]}

Shibasaki, I ^{[1
]}

机构：

[1] Asahikasei Corp, Strateg Res & Dev, Fuji, Shizuoka 4168501, Japan

来源：

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 2004年 / 260卷 / 3-4期

关键词：

D O I：

10.1016/j.jcrysgro.2003.08.056

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

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页码：603 / 605

页数：3

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共 5 条

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