Selective oxidation of buried AlGaAs for fabrication of vertical-cavity lasers

被引：3

作者：

Choquette, KD ^{[1
]}

Geib, KM ^{[1
]}

Chui, HC ^{[1
]}

Hou, HQ ^{[1
]}

Hull, R ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,PHOTON RES DEPT,ALBUQUERQUE,NM 87185

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-53

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页数：9