Phosphorus pile-up model for SiO2-Si interface of p-channel MOSFETs

被引：2

作者：

Akazawa, M ^{[1
]}

Aoki, T ^{[1
]}

Tazawa, S ^{[1
]}

Sato, Y ^{[1
]}

机构：

[1] HOKKAIDO UNIV,FAC ENGN,SAPPORO,HOKKAIDO 060,JAPAN

来源：

SISPAD '96 - 1996 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SISPAD.1996.865258

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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