Enhanced surface preparation techniques for the Si/high-k interface

被引：7

作者：

Barnett, J ^{[1
]}

Young, CD ^{[1
]}

Moumen, N ^{[1
]}

Bersuker, G ^{[1
]}

机构：

[1] Int SEMATECH, Austin, TX 78741 USA

来源：

ULTRA CLEAN PROCESSING OF SILICON SURFACES VII | 2005年 / 103-104卷

关键词：

High-k; interfaces; charge trapping;

D O I：

10.4028/www.scientific.net/SSP.103-104.11

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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