Characterization of plasma induced damage using transient current measurements

被引：4

作者：

Balasinski, A ^{[1
]}

Petti, C ^{[1
]}

Bamnolker, H ^{[1
]}

Ramkumar, K ^{[1
]}

Chung, A ^{[1
]}

机构：

[1] Cypress Semicond, San Jose, CA 95134 USA

来源：

1998 3RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PLASMA PROCESS-INDUCED DAMAGE | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/PPID.1998.725566

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：26 / 29

页数：4