Low-noise, broadband Er3+-doped silica fibre amplifiers

被引：46

作者：

Yamada, M ^{[1
]}

Ono, H ^{[1
]}

Ohishi, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NTT, Optoelect Labs, Tokai, Ibaraki 3191193, Japan

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1998年 / 34卷 / 15期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19981027

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A broadband low-noise silica-based erbium-doped fibre amplifier with a wide amplification bandwidth of 70 nm End a low noise figure of < 5dB has been developed, by employing a hybrid configuration and adjusting the length of the Er3+-doped silica fibres used in the amplifier.

引用

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