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Transistor operations in 30-nm-gate-length EJ-MOSFETs
被引：2
作者：
Kawaura, H
Sakamoto, T
Baba, T
Ochiai, Y
Fujita, J
Matsui, S
Sone, J
机构：
来源：
55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997
|
1997年
关键词：
D O I：
10.1109/DRC.1997.612456
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：2
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