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Plasma etching of Cr photomasks: Parametric comparisons of plasma sources and process conditions
被引：8
作者：
Constantine, C
Johnson, DJ
Westerman, RJ
Coleman, T
Faure, T
机构：
来源：
PHOTOMASK AND X-RAY MASK TECHNOLOGY IV
|
1997年
/
3096卷
关键词：
D O I：
10.1117/12.277267
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：8
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