Ultra-shallow in-situ-doped raised source/drain structure for sub-tenth micron CMOS

被引：3

作者：

Nakahara, Y ^{[1
]}

Takeuchi, K ^{[1
]}

Tatsumi, T ^{[1
]}

Ochiai, Y ^{[1
]}

Manako, S ^{[1
]}

Samukawa, S ^{[1
]}

Furukawa, A ^{[1
]}

机构：

[1] NEC CORP LTD,MICROELECTR RES LABS,SAGAMIHARA,KANAGAWA 229,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507841

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2