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A sixteen level scheme enabling 64Mbit flash memory using 1.6Mbit technology
被引：2
作者：
Kencke, DL
Richart, R
Garg, S
Banerjee, SK
机构：
来源：
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996
|
1996年
关键词：
D O I：
10.1109/IEDM.1996.554134
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：937 / 939
页数：3
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