Thermoelectric properties of high temperature recrystallized Ge films

被引：2

作者：

BeenshMarchwicka, G ^{[1
]}

Osadnik, S ^{[1
]}

Prociow, E ^{[1
]}

机构：

[1] WROCLAW TECH UNIV,INST ELECTRON TECHNOL,PL-50372 WROCLAW,POLAND

来源：

METAL/NONMETAL MICROSYSTEMS: PHYSICS, TECHNOLOGY, AND APPLICATIONS | 1996年 / 2780卷

关键词：

germanium films; Seebeck effect; high-temperature annealing; film structure; activation energy; magnetron sputtering;

D O I：

10.1117/12.238158

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4