Incorporation, excitation and de-excitation of erbium in crystal silicon

被引：6

作者：

deDood, MJA ^{[1
]}

Kik, PG ^{[1
]}

Shin, JH ^{[1
]}

Polman, A ^{[1
]}

机构：

[1] FOM,INST ATOM & MOL PHYS,NL-1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-219

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：219 / 225

页数：7