Erbium doped GaAs by MOCVD

被引：5

作者：

Greenwald, AC ^{[1
]}

Linden, KJ ^{[1
]}

Rees, WS ^{[1
]}

Just, O ^{[1
]}

Haegel, NM ^{[1
]}

Donder, S ^{[1
]}

机构：

[1] SPIRE CORP,BEDFORD,MA 01730

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-63

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页码：63 / 68

页数：6

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