Cross-sectional atomic force microscopy of focused ion beam milled devices

被引：2

作者：

Ebel, J ^{[1
]}

Bozada, C ^{[1
]}

Schlesinger, T ^{[1
]}

Cerny, C ^{[1
]}

DeSalvo, G ^{[1
]}

Dettmer, R ^{[1
]}

Gillespie, J ^{[1
]}

Jenkins, T ^{[1
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Nakano, K ^{[1
]}

Pettiford, C ^{[1
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Quach, T ^{[1
]}

Sewell, J ^{[1
]}

Via, G ^{[1
]}

Welch, R ^{[1
]}

机构：

[1] USAF, Res Lab, Av Directorate, Electron Devices Div, Wright Patterson AFB, OH 45433 USA

来源：

1998 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 36TH ANNUAL | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/RELPHY.1998.670475

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：157 / 162

页数：6