Process latitude for 100 nm dimensions for e-beam lithography in SAL-601

被引：1

作者：

Dobisz, EA ^{[1
]}

Marrian, CRK ^{[1
]}

机构：

[1] USN,RES LAB,DIV ELECT SCI & TECHNOL,WASHINGTON,DC 20375

来源：

ELECTRON-BEAM, X-RAY, EUV, AND ION-BEAM SUBMICROMETER LITHOGRAPHIES FOR MANUFACTURING VI | 1996年 / 2723卷

关键词：

SAL-601; chemically amplified resist; 100 nm lithography; process latitude; e-beam lithography; proximity effects;

D O I：

10.1117/12.240491

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：10