Growth of GaN without yellow luminescence

被引：28

作者：

Zhang, X ^{[1
]}

Kung, P ^{[1
]}

Walker, D ^{[1
]}

Saxler, A ^{[1
]}

Razeghi, M ^{[1
]}

机构：

[1] NORTHWESTERN UNIV,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,CTR QUANTUM DEVICES,EVANSTON,IL 60208

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-625

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：625 / 629

页数：5