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Effect of total dose radiation on FETs fabricated in UNIBOND(TM) SOI material
被引：2
作者：
Liu, ST
[1
]
Jenkins, WC
[1
]
机构：
[1] USN,RES LAB,WASHINGTON,DC 20375
来源：
1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS
|
1996年
关键词：
D O I：
10.1109/SOI.1996.552510
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：2
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