Design and characterisation of singly balanced silicon carbide Schottky diode high-level mixer

被引：8

作者：

Eriksson, J ^{[1
]}

Rorsman, N ^{[1
]}

Ferdos, F ^{[1
]}

Zirath, H ^{[1
]}

机构：

[1] Chalmers Univ Technol, Dept Microelect, Microwave Elect Lab, SE-41296 Gothenburg, Sweden

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 2001年 / 37卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1049/el:20010004

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A singly balanced silicon carbide Schottky diode mixer was designed and characterised. The mixer has a minimum conversion loss of 5.2dB and a third-order intermodulation input intercept point of 31dBm at 850MHz.

引用

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