Performance and manufacturability of the Co/Ti (cap) silicidation process for 0.25μm MOS-technologies

被引：13

作者：

Lauwers, A ^{[1
]}

Besser, P ^{[1
]}

de Potter, M ^{[1
]}

Kondoh, E ^{[1
]}

Roelandts, N ^{[1
]}

Steegen, A ^{[1
]}

Stucchi, M ^{[1
]}

Maex, K ^{[1
]}

机构：

[1] IMEC, B-3001 Louvain, Belgium

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE 1998 INTERNATIONAL INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE | 1998年

关键词：

D O I：

10.1109/IITC.1998.704762

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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