High power, high T-0 native oxide stripe-geometry 980-nm laser diodes

被引：5

作者：

Burkhard, H ^{[1
]}

Piataev, V ^{[1
]}

Schlapp, W ^{[1
]}

机构：

[1] DEUTSCH TELEKOM AG,TECHNOL ZENTRUM,D-64276 DARMSTADT,GERMANY

来源：

LASER DIODES AND APPLICATIONS II | 1996年 / 2682卷

关键词：

high power laser diodes; oxidation; cladding layers; characteristic temperature; COD;

D O I：

10.1117/12.237648

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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