Luminescence quenching in erbium-doped hydrogenated amorphous silicon

被引：5

作者：

Polman, A ^{[1
]}

Shin, JH ^{[1
]}

Serna, R ^{[1
]}

vandenHoven, GN ^{[1
]}

vanSark, WGJHM ^{[1
]}

Vredenberg, AM ^{[1
]}

Lombardo, S ^{[1
]}

Campisano, SU ^{[1
]}

机构：

[1] FOM,INST ATOM & MOL PHYS,NL-1098 SJ AMSTERDAM,NETHERLANDS

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-239

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：239 / 245

页数：7