Deep red vertical cavity surface emitting lasers with monolithically integrated heterojunction phototransistors for output power control

被引:5
作者
Lott, JA [1 ]
Shin, HK [1 ]
Lee, YH [1 ]
机构
[1] USAF,INST TECHNOL,DEPT ELECT & COMP ENGN,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433
来源
15TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE - CONFERENCE DIGEST | 1996年
关键词
D O I
10.1109/ISLC.1996.558847
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:185 / 186
页数:2
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