Barrier-width dependence of emission in triple-quantum-well broadband light-emitting diodes

被引：12

作者：

Fritz, IJ ^{[1
]}

Hafich, MJ ^{[1
]}

Klem, JF ^{[1
]}

Casalnuovo, SA ^{[1
]}

机构：

[1] Sandia Natl Labs, Albuquerque, NM 87185 USA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1999年 / 35卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19990068

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

Broadband (1.3-1.9 mu m) emission has been demonstrated using triple-quantum-well light-emitting diodes fabricated from InGaAs/InGaAlAs digital alloys. Obtaining comparable emission intensities from the three wells requires careful choice of the barrier-layer thicknesses.

引用

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共 3 条

[1] BROAD-BAND LIGHT-EMITTING-DIODES FROM PSEUDO-ALLOY QUANTUM-WELLS [J].