Confinement effects of AlAs native-oxide apertures buried in quantum well lasers

被引：3

作者：

Cheng, Y ^{[1
]}

MacDougal, MH ^{[1
]}

Lin, CK ^{[1
]}

Dapkus, PD ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SO CALIF,NATL CTR INTEGRATED PHOTON TECHNOL,DEP ELECT ENGN & ELECTROPHYS,LOS ANGELES,CA 90089

来源：

15TH IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE - CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ISLC.1996.553726

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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