Mark topography for alignment and registration in projection electron lithography

被引：3

作者：

Farrow, RC ^{[1
]}

Mkrtchyan, M ^{[1
]}

Bolen, K ^{[1
]}

Blakey, M ^{[1
]}

Biddick, C ^{[1
]}

Fetter, L ^{[1
]}

Huggins, H ^{[1
]}

Tarascon, R ^{[1
]}

Berger, S ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

ELECTRON-BEAM, X-RAY, EUV, AND ION-BEAM SUBMICROMETER LITHOGRAPHIES FOR MANUFACTURING VI | 1996年 / 2723卷

关键词：

alignment marks; mark detection; topographic marks; backscattered electrons; e-beam lithography; projection electron lithography; SCALPEL; V-grooves; alignment and registration;

D O I：

10.1117/12.240464

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：7