Si1-xGex critical thickness for surface wave generation during UHV-CVD growth at 525 degrees C

被引：10

作者：

Lafontaine, H ^{[1
]}

Houghton, DC ^{[1
]}

Bahierathan, B ^{[1
]}

Perovic, DD ^{[1
]}

Baribeau, JM ^{[1
]}

机构：

[1] NATL RES COUNCIL CANADA, INST MICROSTRUCT SCI, OTTAWA, ON K1A 0R6, CANADA

来源：

EVOLUTION OF EPITAXIAL STRUCTURE AND MORPHOLOGY | 1996年 / 399卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-399-413

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：413 / 418

页数：6