Exafs and X-ray CTR scattering characterization of Er doped in InP by OMVPE

被引：12

作者：

Tabuchi, M ^{[1
]}

Kawamura, D ^{[1
]}

Fujita, K ^{[1
]}

Matsubara, N ^{[1
]}

Yamada, N ^{[1
]}

Ofuchi, H ^{[1
]}

Ichiki, S ^{[1
]}

Fujiwara, Y ^{[1
]}

Takeda, Y ^{[1
]}

机构：

[1] NAGOYA UNIV,DEPT MAT SCI & ENGN,NAGOYA,AICHI 46401,JAPAN

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-155

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：155 / 160

页数：6