The effects of nitrogen implant into gate electrode on the characteristics of dual-gate MOSFETs with ultra-this oxide and oxynitrides

被引：2

作者：

Chou, AI

Lin, C

Kumar, K

Chowdhury, P

Gardner, M

Gilmer, M

Fulford, J

Lee, JC

机构：

来源：

1997 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS - 35TH ANNUAL | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/RELPHY.1997.584256

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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