Modeling electromigration and stress migration damage in advanced interconnect structures

被引：3

作者：

Brown, D ^{[1
]}

机构：

[1] Adv Micro Devices Inc, Adv Interconnect Proc Dev, Sunnyvale, CA 94088 USA

来源：

MATERIALS RELIABILITY IN MICROELECTRONICS VIII | 1998年 / 516卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-516-135

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：12