X-cut lithium niobate optical single-sideband modulator

被引：71

作者：

Higuma, K

Oikawa, S

Hashimoto, Y

Nagata, H

Izutsu, M

机构：

[1] New Technol Res Labs, Optoelect Res Div, Funabashi, Chiba 2748601, Japan

[2] Minist Publ Management Home Affairs Posts & Telec, Commun Res Lab, Koganei, Tokyo 1848795, Japan

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 2001年 / 37卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1049/el:20010342

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 [电气工程]; 0809 [电子科学与技术];

摘要：

A hermetically packaged x-cut LiNbO3 optical single-sideband modulator is presented, which successfully performs a carrier-suppression ratio over 25dB with an RF driving voltage of 8V(p.p) at 10GHz.

引用

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