Excitation properties of Er-doped GaP from photoluminescence and high pressure studies

被引：4

作者：

Culp, TD ^{[1
]}

Wang, XZ ^{[1
]}

Kuech, TF ^{[1
]}

Wessels, BW ^{[1
]}

Bray, KL ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV WISCONSIN,DEPT CHEM ENGN,MADISON,WI 53706

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-279

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：279 / 284

页数：6