Determination of silicon oxide layer thickness by time-of-flight secondary ion mass spectroscopy

被引：5

作者：

Brox, O

Iltgen, K

Hellweg, S

Benninghoven, A

机构：

[1] Univ Munster, Inst Phys, D-4400 Munster, Germany

[2] AMD Saxony Mfg GmbH, Dresden, Germany

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1999年 / 17卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1116/1.590891

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2191 / 2192

页数：2

共 5 条

[1]

BROX O, IN PRESS J VAC SCI B

Iltgen, K ;

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Benninghoven, A ;

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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1997, 15 (03) :460-464

[3]

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