A 60ns 1Mb nonvolatile ferroelectric memory with non-driven cell plate line write/read scheme

被引：5

作者：

Koike, H ^{[1
]}

Otsuki, T ^{[1
]}

Kimura, T ^{[1
]}

Fukuma, M ^{[1
]}

Hayashi, Y ^{[1
]}

Maejima, Y ^{[1
]}

Amanuma, K ^{[1
]}

Tanabe, N ^{[1
]}

Matsuki, T ^{[1
]}

Saito, S ^{[1
]}

Takeuchi, T ^{[1
]}

Kobayashi, S ^{[1
]}

Kunio, T ^{[1
]}

Hase, T ^{[1
]}

Miyasaka, Y ^{[1
]}

Shohata, N ^{[1
]}

Takada, M ^{[1
]}

机构：

[1] NEC CORP LTD,SAGAMIHARA,KANAGAWA,JAPAN

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年 / 39卷

关键词：

D O I：

10.1109/ISSCC.1996.488720

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：368 / 369

页数：2