Punchthrough type GTO with buffer layer and homogeneous low efficiency anode structure

被引：5

作者：

Eicher, S ^{[1
]}

Bauer, F ^{[1
]}

Weber, A ^{[1
]}

Zeller, HR ^{[1
]}

Fichtner, W ^{[1
]}

机构：

[1] ETH ZURICH,INTEGRATED SYST LAB,CH-8092 ZURICH,SWITZERLAND

来源：

ISPSD '96 - 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ISPSD.1996.509495

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4