Novel integration technologies for highly manufacturable 32Mb FRAM

被引：22

作者：

Kim, HH ^{[1
]}

Song, YJ ^{[1
]}

Lee, SY ^{[1
]}

Joo, HJ ^{[1
]}

Jang, NW ^{[1
]}

Jung, DJ ^{[1
]}

Park, YS ^{[1
]}

Park, SO ^{[1
]}

Lee, KM ^{[1
]}

Joo, SH ^{[1
]}

Lee, SW ^{[1
]}

Nam, SD ^{[1
]}

Kim, K ^{[1
]}

机构：

[1] Samsung Elect Co Ltd, TDI PJT, Yongin, Kyungki Do, South Korea

来源：

2002 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2002年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.2002.1015456

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：210 / 211

页数：2