Factors governing the photoluminescence yield of erbium implanted silicon

被引：9

作者：

Jantsch, W ^{[1
]}

Przybylinska, H ^{[1
]}

Skierbiszewski, C ^{[1
]}

Lanzerstorfer, S ^{[1
]}

Palmetshofer, L ^{[1
]}

机构：

[1] JOHANNES KEPLER UNIV,A-4040 LINZ,AUSTRIA

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-101

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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