3Gb/s monolithically integrated photodiode and pre-amplifier in standard 0.18μm CMOS

被引：7

作者：

Radovanovic, S ^{[1
]}

Annema, AJ ^{[1
]}

Nauta, B ^{[1
]}

机构：

[1] Univ Twente, NL-7500 AE Enschede, Netherlands

来源：

2004 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2004年 / 47卷

关键词：

D O I：

10.1109/ISSCC.2004.1332799

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：472 / 473

页数：2