Random MOSFET parameter fluctuation limits to gigascale integration (GSI)

被引：11

作者：

De, VK ^{[1
]}

Tang, XH ^{[1
]}

Meindl, JD ^{[1
]}

机构：

[1] GEORGIA INST TECHNOL,MICROELECTR RES CTR,SCH ECE,ATLANTA,GA 30332

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507851

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：198 / 199

页数：2