The effect of passivation on the hot electron degradation of lattice-matched InAlAs/InGaAs/InP HEMTs

被引：2

作者：

Menozzi, R

Borgarino, M

Baeyens, Y

vanderZanden, K

VanHove, M

Fantini, F

机构：

来源：

1997 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS - CONFERENCE PROCEEDINGS | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/ICIPRM.1997.600077

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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