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900 V DMOS and 1100 V UMOS 4H-SiC power FETs
被引：4
作者：
Casady, JB
Agarwal, AK
Rowland, LB
Valek, WF
Brandt, CD
机构：
来源：
55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997
|
1997年
关键词：
D O I：
10.1109/DRC.1997.612463
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页数：2
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