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Quantitative simulation of strained and unstrained InP-based resonant tunneling diodes
被引：16
作者：
Klimeck, G
Boykin, TB
Bowen, RC
Lake, R
Blanks, D
Moise, T
Kao, YC
Frensley, WR
机构：
来源：
55TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE, DIGEST - 1997
|
1997年
关键词：
D O I：
10.1109/DRC.1997.612487
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页数：2
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