Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN (vol 79, pg 3487, 1996)

被引：4

作者：

Uchida, K

Watanabe, A

Yano, F

Kouguchi, M

Tanaka, T

Minagawa, S

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1996年 / 80卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.363832

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1942 / 1942

页数：1

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共 1 条

[1] Nitridation process of sapphire substrate surface and its effect on the growth of GaN [J].

Uchida, K ;

Watanabe, A ;

Yano, F ;

Kouguchi, M ;

Tanaka, T ;

Minagawa, S .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 79 (07) :3487-3491