Study of output power stability of GaNHEMT on SIC substrates

被引：4

作者：

Boutros, KS ^{[1
]}

Rowell, P ^{[1
]}

Brar, B ^{[1
]}

机构：

[1] Rockwell Sci Co, Thousand Oaks, CA 93021 USA

来源：

2004 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM PROCEEDINGS | 2004年

关键词：

GaNHEMTs; RF stress; device degradation; output power stability;

D O I：

10.1109/RELPHY.2004.1315397

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2