Optical channel waveguides in silicon diffused from GeSi alloy

被引：21

作者：

Schueppert, B. ^{[1
]}

Schmidtchen, J. ^{[1
]}

Petermann, K. ^{[1
]}

机构：

[1] Tech Univ Berlin, Inst Hochfrequenztech, D-1000 Berlin 10, Germany

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 2009年

关键词：

D O I：

10.1049/el:19891007

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

A technique for fabricating low-loss and polarisation-independent channel waveguides in silicon is reported. The waveguides are obtained by Ge-indiffusion using either a GeSi alloy or a system of alternating Ge and Si layers. Typical fabrication parameters for single-mode waveguides are given.

引用

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