Energetic, vibrational, and electronic properties of silicon using a nonorthogonal tight-binding model (vol 62, pg 4477, 2000)

被引：9

作者：

Bernstein, N

Mehl, MJ

Papaconstantopoulos, DA

Papanicolaou, NI

Bazant, MZ

Kaxiras, E

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 2002年 / 65卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.65.249902

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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共 1 条

[1] Energetic, vibrational, and electronic properties of silicon using a nonorthogonal tight-binding model
Bernstein, N
Mehl, MJ
Papaconstantopoulos, DA
Papanicolaou, NI
Bazant, MZ
Kaxiras, E
[J]. PHYSICAL REVIEW B, 2000, 62 (07): : 4477 - 4487