Modeling of device characteristics as function of Ti salicide rapid thermal processing parameters for deep sub-micron cmos technologies

被引：5

作者：

Kittl, JA ^{[1
]}

Prinslow, DA ^{[1
]}

Misium, G ^{[1
]}

Pas, MF ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC,SEMICOND PROC & DEVICE CTR,DALLAS,TX 75243

来源：

RAPID THERMAL AND INTEGRATED PROCESSING V | 1996年 / 429卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-429-175

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：175 / 180

页数：6