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Copper interconnection deposition techniques and integration
被引:7
作者
:
Bai, G
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机构:
INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
Bai, G
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Chiang, C
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INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
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Chiang, C
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Cox, JN
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INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
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Cox, JN
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Fang, S
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Fang, S
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Gardner, DS
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Gardner, DS
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Mack, A
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INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
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Mack, A
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Marieb, T
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Mu, XC
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Ochoa, V
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Villasol, R
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Yu, J
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Yu, J
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机构
:
[1]
INTEL CORP,COMPONENTS RES,SANTA CLARA,CA 95052
来源
:
1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS
|
1996年
关键词
:
D O I
:
10.1109/VLSIT.1996.507789
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:48 / 49
页数:2
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