A novel 1T1C capacitor structure for high density FRAM

被引：15

作者：

Jang, NW ^{[1
]}

Song, YJ ^{[1
]}

Kim, HH ^{[1
]}

Jung, DJ ^{[1
]}

Koo, BJ ^{[1
]}

Lee, SY ^{[1
]}

Joe, SH ^{[1
]}

Lee, KM ^{[1
]}

Kim, K ^{[1
]}

机构：

[1] Samsung Elect Co, Memory Device Business, Technol Dev, Yongin 449711, Kyungki Do, South Korea

来源：

2000 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2000年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.2000.852758

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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页数：2