A 3-D single-electron-memory cell structure with 2F2 per bit

被引：4

作者：

Ishii, T ^{[1
]}

Yano, K ^{[1
]}

Sano, T ^{[1
]}

Mine, T ^{[1
]}

Murai, F ^{[1
]}

Kure, T ^{[1
]}

Seki, K ^{[1
]}

机构：

[1] Hitachi Ltd, Cent Res Lab, Tokyo 185, Japan

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650532

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3